FQAF11N90C Fairchild
Symbol Micros:
TFQAF11n90c
Obudowa: TO 3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,1Ohm; 7A; 120W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,1Ohm |
| Maksymalna tracona moc: | 120W |
| Maksymalny prąd drenu: | 7A |
| Obudowa: | TO 3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,1Ohm |
| Maksymalna tracona moc: | 120W |
| Maksymalny prąd drenu: | 7A |
| Obudowa: | TO 3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |