FQB12P20TM
Symbol Micros:
TFQB12p20tm
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 30V; 470mOhm; 11,5A; 120W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 470mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 11,5A |
Maksymalna tracona moc: | 120W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | Fairchild |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FQB12P20TM RoHS
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 5,6200 | 4,2900 | 3,5500 | 3,1100 | 2,9600 |
Rezystancja otwartego kanału: | 470mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 11,5A |
Maksymalna tracona moc: | 120W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | Fairchild |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |