FQB33N10TM

Symbol Micros: TFQB33n10tm
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 52mOhm
Maksymalny prąd drenu: 33A
Maksymalna tracona moc: 127W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Fairchild Symbol producenta: FQB33N10TM RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,9900 4,5700 3,7800 3,3100 3,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 52mOhm
Maksymalny prąd drenu: 33A
Maksymalna tracona moc: 127W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD