FQB34N20LTM
Symbol Micros:
TFQB34n20ltm
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 80mOhm; 31A; 180W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 80mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 31A |
Maksymalna tracona moc: | 180W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | Fairchild |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FQB34N20LTM RoHS
Obudowa dokładna: TO263t/r
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 7,1900 | 5,3300 | 4,6600 | 4,3300 | 4,2300 |
Rezystancja otwartego kanału: | 80mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 31A |
Maksymalna tracona moc: | 180W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | Fairchild |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |