FQB5N90TM

Symbol Micros: TFQB5n90tm
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 5.4A 900V 158W 2.3Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2,3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 5,4A
Maksymalna tracona moc: 158W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQB5N90TM Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
15200 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,2501
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 2,3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 5,4A
Maksymalna tracona moc: 158W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD