FQD10N20CTM Fairchild
Symbol Micros:
TFQD10n20ctm
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 360mOhm; 7,8A; 50W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; FQD10N20CTM-VB; TPM2007NK3; FQD10N20CTM-JSM;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 360mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 50W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQD10N20CTM RoHS
Obudowa dokładna: DPAK t/r
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,6400 | 3,0900 | 2,5500 | 2,3000 | 2,2100 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-12-31
Ilość szt.: 150
| Rezystancja otwartego kanału: | 360mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 50W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |