FQD11P06TM
Symbol Micros:
TFQD11p06tm
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 30V; 185mOhm; 9,4A; 38W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: TPFQD11P06TM, FQD11P06TM-VB;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 185mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 38W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: TECH PUBLIC
Symbol producenta: TPFQD11P06TM RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy:
490 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8600 | 2,4300 | 1,9100 | 1,7400 | 1,6800 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQD11P06TM
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
37500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6800 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQD11P06TM
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8708 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 185mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 38W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |