FQD11P06TM

Symbol Micros: TFQD11p06tm
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 30V; 185mOhm; 9,4A; 38W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: TPFQD11P06TM, FQD11P06TM-VB;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 185mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9,4A
Maksymalna tracona moc: 38W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: TECH PUBLIC Symbol producenta: TPFQD11P06TM RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
490 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 3,8600 2,4300 1,9100 1,7400 1,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 185mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9,4A
Maksymalna tracona moc: 38W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD