FQP13N50
Symbol Micros:
TFQP13n50
Obudowa: TO220AB
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 430mOhm; 12,5A; 170W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 430mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 170W |
| Obudowa: | TO220AB |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP13N50 RoHS
Obudowa dokładna: TO220AB
Stan magazynowy:
27 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,1700 | 8,5800 | 7,2900 | 7,1300 | 6,9800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 430mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 12,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 170W |
| Obudowa: | TO220AB |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |