FQP17N40

Symbol Micros: TFQP17N40
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 270mOhm; 16A; 170W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 270mOhm
Maksymalny prąd drenu: 16A
Maksymalna tracona moc: 170W
Obudowa: TO220
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 400V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQP17N40 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
150 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,1968
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQP17N40 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
960 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,4376
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 270mOhm
Maksymalny prąd drenu: 16A
Maksymalna tracona moc: 170W
Obudowa: TO220
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 400V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT