FQP33N10
Symbol Micros:
TFQP33n10
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 52mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 33A |
| Maksymalna tracona moc: | 127W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQP33N10 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,3500 | 6,6600 | 5,7000 | 5,1200 | 4,9100 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 52mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 33A |
| Maksymalna tracona moc: | 127W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |