FQPF27P06

Symbol Micros: TFQPF27p06
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO-220F
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 70mOhm; 17A; 47W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 70mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 47W
Obudowa: TO-220F
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQPF27P06 Obudowa dokładna: TO-220F  
Magazyn zewnetrzny:
305 szt.
ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,8862
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQPF27P06 Obudowa dokładna: TO-220F  
Magazyn zewnetrzny:
370 szt.
ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,0918
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 70mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 47W
Obudowa: TO-220F
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT