FQPF6N90C
Symbol Micros:
TFQPF6n90c
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 56W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 56W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQPF6N90C RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
Stan magazynowy:
187 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,2500 | 7,1000 | 6,0400 | 5,9100 | 5,7800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 56W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |