FQPF8N80C

Symbol Micros: TFQPF8n80c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,55Ohm; 8A; 59W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,55Ohm
Maksymalny prąd drenu: 8A
Maksymalna tracona moc: 59W
Obudowa: TO220iso
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQPF8N80C RoHS Obudowa dokładna: TO220iso karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 9,6200 7,6300 6,9000 6,5300 6,4100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Rezystancja otwartego kanału: 1,55Ohm
Maksymalny prąd drenu: 8A
Maksymalna tracona moc: 59W
Obudowa: TO220iso
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT