FQT5P10TF
Symbol Micros:
TFQT5p10tf
Obudowa: SOT223
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 30V; 1,05Ohm; 1A; 2W; -55°C ~ 150°C; FQT5P10TF-TP; FQT5P10TF-VB;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,05Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: TECH PUBLIC
Symbol producenta: FQT5P10TF-TP RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
150 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 40+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4600 | 1,5400 | 1,2300 | 1,1000 | 1,0700 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-05-31
Ilość szt.: 350
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,05Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |