FQT7N10LTF
Symbol Micros:
TFQT7n10ltf
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 380mOhm; 1,7A; 2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 380mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQT7N10LTF RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
26 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,8100 | 1,7800 | 1,4000 | 1,2800 | 1,2200 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQT7N10LTF RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,8100 | 1,7800 | 1,4000 | 1,2800 | 1,2200 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQT7N10LTF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
32000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2200 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 380mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |