FQT7N10LTF

Symbol Micros: TFQT7n10ltf
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 380mOhm; 1,7A; 2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 380mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,7A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOT223
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQT7N10LTF RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,8100 1,7800 1,4000 1,2800 1,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQT7N10LTF RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
26 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,8100 1,7800 1,4000 1,2800 1,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQT7N10LTF Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FQT7N10LTF Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 380mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,7A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOT223
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD