FZT651TA

Symbol Micros: TFZT651ta
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor NPN; 300; 3W; 60V; 3A; 175MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FZT651TC;
Parametry
Moc strat: 3W
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT223
Częstotliwość graniczna: 175MHz
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FZT651TA RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
270 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5800 0,8720 0,6860 0,6350 0,6090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FZT651TA Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt.
ilość szt. 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,6090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 3W
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT223
Częstotliwość graniczna: 175MHz
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN