FZT651TA
Symbol Micros:
TFZT651ta
Obudowa: SOT223
Tranzystor NPN; 300; 3W; 60V; 3A; 175MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FZT651TC;
Parametry
Moc strat: | 3W |
Częstotliwość graniczna: | 175MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
Producent: | DIODES |
Obudowa: | SOT223 |
Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FZT651TA RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
830 szt.
ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,7900 | 0,9880 | 0,7770 | 0,7200 | 0,6900 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FZT651TA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
271000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,6900 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FZT651TA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
215000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,6900 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FZT651TA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
100000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,6900 |
Moc strat: | 3W |
Częstotliwość graniczna: | 175MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
Producent: | DIODES |
Obudowa: | SOT223 |
Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |