FZT651TA

Symbol Micros: TFZT651ta
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor NPN; 300; 3W; 60V; 3A; 175MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FZT651TC;
Parametry
Moc strat: 3W
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 175MHz
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FZT651TA RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
270 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8300 1,0100 0,7910 0,7320 0,7020
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 3W
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 175MHz
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN