FZT653TA

Symbol Micros: TFZT653ta
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Trans GP BJT NPN 100V 2A 3000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Parametry
Moc strat: 3W
Obudowa: SOT223
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 175MHz
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: TY Symbol producenta: FZT653TA RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r  
Stan magazynowy:
120 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 120+ 600+ 2400+
cena netto (PLN) 1,1700 0,6280 0,4810 0,4400 0,4270
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
120
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FZT653TA RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1100 1,2800 0,9830 0,8870 0,8440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 3W
Obudowa: SOT223
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 175MHz
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN