FZT653TA
Symbol Micros:
TFZT653ta
Obudowa: SOT223
Trans GP BJT NPN 100V 2A 3000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Parametry
Moc strat: | 3W |
Producent: | DIODES |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
Obudowa: | SOT223 |
Częstotliwość graniczna: | 175MHz |
Maksymalny prąd kolektora: | 2A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Producent: TY
Symbol producenta: FZT653TA RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
120 szt.
ilość szt. | 3+ | 10+ | 40+ | 120+ | 480+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,6400 | 1,0600 | 0,7810 | 0,6840 | 0,6290 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FZT653TA RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,4000 | 1,4500 | 1,1200 | 1,0100 | 0,9600 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FZT653TA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
518000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,9600 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FZT653TA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,9600 |
Moc strat: | 3W |
Producent: | DIODES |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
Obudowa: | SOT223 |
Częstotliwość graniczna: | 175MHz |
Maksymalny prąd kolektora: | 2A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |