FZT751TA

Symbol Micros: TFZT751ta
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor PNP; 300; 3W; 60V; 3A; 140MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FZT751TC;
Parametry
Moc strat: 3W
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT223
Częstotliwość graniczna: 140MHz
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FZT751TA RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
870 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1700 1,3100 1,0100 0,9100 0,8660
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 3W
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT223
Częstotliwość graniczna: 140MHz
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP