FZT753TA

Symbol Micros: TFZT753TA Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223-4
Trans GP BJT PNP 100V 2A 3000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FZT753TC
Parametry
Moc strat: 2W
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223-4
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 140MHz
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: TY Symbol producenta: FZT753TA RoHS Obudowa dokładna: SOT223-4 t/r  
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,6800 1,1000 0,7910 0,6910 0,6480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Moc strat: 2W
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223-4
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 140MHz
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP