FZT789AQTA

Symbol Micros: TFZT789AQTA Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Trans GP BJT PNP 25V 3A 3000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Parametry
Moc strat: 3W
Obudowa: SOT223
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Moc strat: 3W
Obudowa: SOT223
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP