FZT949

Symbol Micros: TFZT949
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
PNP 30V 5.5A 3W FZT949TA
Parametry
Moc strat: 3W
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 5,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FZT949TA Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
14000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3390
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 3W
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 5,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN