G1003A Goford Semiconductor
Symbol Micros:
TG1003A
Obudowa:
N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2 AOSS62934; G1003A GOFORD;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 130mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | SOT-23-3L |
| Producent: | GOFORD |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 130mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,5W |
| Obudowa: | SOT-23-3L |
| Producent: | GOFORD |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |