HGTG30N60B3D

Symbol Micros: THGTG30n60b3d
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 220A; 208W; 4,2V~6,0V; 250nC; -55°C~150°C;
Parametry
Ładunek bramki: 250nC
Maksymalna moc rozpraszana: 208W
Maksymalny prąd kolektora: 60A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 220A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,2V ~ 6,0V
Obudowa: TO247
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: HGTG30N60B3D RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 26,4500 22,4200 19,9600 18,7100 17,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ładunek bramki: 250nC
Maksymalna moc rozpraszana: 208W
Maksymalny prąd kolektora: 60A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 220A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,2V ~ 6,0V
Obudowa: TO247
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT