HUF75321P3

Symbol Micros: THUF75321p3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 34mOhm; 35A; 93W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: HUF75321S3S; HUF75321D3S;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 34mOhm
Maksymalny prąd drenu: 35A
Maksymalna tracona moc: 93W
Obudowa: TO220
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 55V
Producent: Fairchild Symbol producenta: HUF75321P3 RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
80 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,7600 2,7600 2,2100 1,9000 1,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Rezystancja otwartego kanału: 34mOhm
Maksymalny prąd drenu: 35A
Maksymalna tracona moc: 93W
Obudowa: TO220
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT