HUF76423P3

Symbol Micros: THUF76423p3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 16V; 38mOhm; 33A; 85W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 38mOhm
Maksymalny prąd drenu: 33A
Maksymalna tracona moc: 85W
Obudowa: TO220
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Producent: Fairchild Symbol producenta: HUF76423P3 RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,9100 2,4800 1,9500 1,7800 1,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: HUF76423P3 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
2400 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6004
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: HUF76423P3 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1400 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 38mOhm
Maksymalny prąd drenu: 33A
Maksymalna tracona moc: 85W
Obudowa: TO220
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT