HYG054N10NS1P HUAYI
Symbol Micros:
THYG054n10ns1p
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120A; 6,4mOhm; 194,8W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120A |
| Maksymalna tracona moc: | 194,8W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | HUAYI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120A |
| Maksymalna tracona moc: | 194,8W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | HUAYI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |