IAUA210N10S5N024AUMA1 Infineon Technologies
Symbol Micros:
TIAUA210N10S5N024AUMA1
Obudowa: PG-HSOF-5-4
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5 transistors - fets, mosfets - single
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 210A |
| Maksymalna tracona moc: | 238W |
| Obudowa: | PG-HSOF-5 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 210A |
| Maksymalna tracona moc: | 238W |
| Obudowa: | PG-HSOF-5 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |