IHW30N135R5

Symbol Micros: TIHW30n135r5
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor IGBT; 1350V; 20V; 60A; 90A; 330W; 5,1V~6,4V; 235nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IHW30N135R5XKSA1
Parametry
Ładunek bramki: 235nC
Maksymalna moc rozpraszana: 330W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 90A
Maksymalny prąd kolektora: 60A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,1V ~ 6,4V
Obudowa: TO247
Producent: INFINEON
Producent: Infineon Symbol producenta: IHW30N135R5 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
110 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 120+ 240+
cena netto (PLN) 9,8700 7,8200 6,9400 6,6600 6,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/120
Producent: Infineon Symbol producenta: IHW30N135R5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
15270 szt.
ilość szt. 90+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 6,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Ładunek bramki: 235nC
Maksymalna moc rozpraszana: 330W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 90A
Maksymalny prąd kolektora: 60A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,1V ~ 6,4V
Obudowa: TO247
Producent: INFINEON
Napięcie kolektor-emiter: 1350V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT