IKW15N120H3FKSA1

Symbol Micros: TIKW15n120h3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3;
Parametry
Ładunek bramki: 75nC
Maksymalna moc rozpraszana: 217W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 60A
Maksymalny prąd kolektora: 30A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,0V ~ 6,5V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Producent: Infineon Symbol producenta: IKW15N120H3 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 16,2100 13,9400 13,0500 12,5800 12,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Producent: Infineon Symbol producenta: IKW15N120H3FKSA1 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 16,2100 13,9400 13,0500 12,5800 12,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ładunek bramki: 75nC
Maksymalna moc rozpraszana: 217W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 60A
Maksymalny prąd kolektora: 30A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,0V ~ 6,5V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Napięcie kolektor-emiter: 1200V
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta