IKW40N120H3
Symbol Micros:
TIKW40n120h3
Obudowa: TO247
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW40N120H3FKSA1;
Parametry
| Ładunek bramki: | 185nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 483W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 160A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 5,0V ~ 6,5V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | Infineon Technologies |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IKW40N120H3 RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 21,4800 | 19,7800 | 18,7300 | 18,2000 | 17,9000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IKW40N120H3FKSA1
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
68 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 20,8105 |
| Ładunek bramki: | 185nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 483W |
| Maksymalny prąd kolektora: | 80A |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 160A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 5,0V ~ 6,5V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Napięcie kolektor-emiter: | 1200V |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 175°C |
| Napięcie bramka-emiter: | 20V |
| Montaż: | THT |