IKW40N60DTPXKSA1 Infineon Technologies
Symbol Micros:
TIKW40n60dtp
Obudowa: TO247
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 67A; 120A; 246W; 4,1V~5,7V; 177nC; -40°C~175°C;
Parametry
| Ładunek bramki: | 177nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 246W |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 120A |
| Maksymalny prąd kolektora: | 67A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,1V ~ 5,7V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | INFINEON |
| Ładunek bramki: | 177nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 246W |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 120A |
| Maksymalny prąd kolektora: | 67A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,1V ~ 5,7V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | INFINEON |
| Napięcie kolektor-emiter: | 600V |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 175°C |
| Napięcie bramka-emiter: | 20V |
| Montaż: | THT |