IKW50N60T

Symbol Micros: TIKW50n60t
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 150A; 333W; 4,1V~5,7V; 310nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IKW50N60TFKSA1; IKW50N60TAFKSA1;
Parametry
Ładunek bramki: 310nC
Maksymalna moc rozpraszana: 333W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 150A
Maksymalny prąd kolektora: 80A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,1V ~ 5,7V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Producent: Infineon Symbol producenta: IKW50N60T RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
8 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 90+ 180+
cena netto (PLN) 20,2900 17,4400 16,1200 15,7500 15,6100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Producent: Infineon Symbol producenta: IKW50N60T RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 20,2900 18,0400 16,6900 16,0100 15,6100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ładunek bramki: 310nC
Maksymalna moc rozpraszana: 333W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 150A
Maksymalny prąd kolektora: 80A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,1V ~ 5,7V
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Napięcie bramka-emiter: 20V

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta