IKZ75N65EL5XKSA1

Symbol Micros: TIKZ75n65e
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247
Parametry
Maksymalny prąd drenu: 100A
Maksymalna tracona moc: 536W
Obudowa: TO247
Producent: INFINEON
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Montaż: THT
Producent: Infineon Symbol producenta: IKZ75N65EL5XKSA1 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
90 szt.
ilość szt. 30+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 22,2738
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Maksymalny prąd drenu: 100A
Maksymalna tracona moc: 536W
Obudowa: TO247
Producent: INFINEON
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta