IPA045N10N3GXKSA1
Symbol Micros:
TIPA045n10n3g
Obudowa: TO220FP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 7,7mOhm; 64A; 39W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 64A |
| Maksymalna tracona moc: | 39W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPA045N10N3GXKSA1 RoHS
Obudowa dokładna: TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,9400 | 5,5300 | 4,7400 | 4,2500 | 4,0800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPA045N10N3GXKSA1
Obudowa dokładna: TO220FP
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,0800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 7,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 64A |
| Maksymalna tracona moc: | 39W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |