IPA086N10N3GXKSA1
Symbol Micros:
TIPA086n10n3g
Obudowa: TO220FP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15,4mOhm; 45A; 37,5W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 15,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 45A |
| Maksymalna tracona moc: | 37,5W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 15,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 45A |
| Maksymalna tracona moc: | 37,5W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |