IPA105N15N3GXKSA1
Symbol Micros:
TIPA105n15n3g
Obudowa: TO220FP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 11,1mOhm; 37A; 40,5W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 11,1mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 37A |
| Maksymalna tracona moc: | 40,5W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPA105N15N3GXKSA1 RoHS
Obudowa dokładna: TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 15,4700 | 12,7900 | 11,2100 | 10,4300 | 9,9800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPA105N15N3GXKSA1
Obudowa dokładna: TO220FP
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,9800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 11,1mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 37A |
| Maksymalna tracona moc: | 40,5W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |