IPA60R099C7XKSA1
Symbol Micros:
TIPA60r099c7
Obudowa: TO220iso
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 99mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 278W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPA60R099C7XKSA1
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
171 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,0562 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPA60R099C7XKSA1
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
220 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,7814 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 99mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 278W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |