IPB027N10N3G Infineon
Symbol Micros:
TIPB027n10n3g
Obudowa: TO263/3
N-MOSFET 100V 120A 300W 2.7mΩ IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GE8187ATMA1
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPB027N10N3GATMA1
Obudowa dokładna: TO263/3
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,2476 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPB027N10N3GATMA1
Obudowa dokładna: TO263/3
Magazyn zewnętrzny:
21000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,0983 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPB027N10N3GATMA1
Obudowa dokładna: TO263/3
Magazyn zewnętrzny:
21000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,5499 |