IPB031N08N5
Symbol Micros:
TIPB031n08n5
Obudowa: TO263/3
MOSFET N-CH 80V TO263-3 IPB031N08N5ATMA1
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,1mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120A |
| Maksymalna tracona moc: | 167W |
| Obudowa: | TO263/3 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,1mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120A |
| Maksymalna tracona moc: | 167W |
| Obudowa: | TO263/3 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |