IPB60R190C6 INFINEON

Symbol Micros: TIPB60r190c6
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IPB60R190C6ATMA1
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 190mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20,2A
Maksymalna tracona moc: 151W
Obudowa: D2PAK
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IPB60R190C6ATMA1 Obudowa dokładna: D2PAK  
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,4461
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 190mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20,2A
Maksymalna tracona moc: 151W
Obudowa: D2PAK
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD