IPD031N06L3G Infineon
Symbol Micros:
TIPD031n06l3g
Obudowa: TO252/3 (DPAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,2mOhm; 100A; 167W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD031N06L3GATMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 5,2mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 100A |
Maksymalna tracona moc: | 167W |
Obudowa: | TO252/3 (DPAK) |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 5,2mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 100A |
Maksymalna tracona moc: | 167W |
Obudowa: | TO252/3 (DPAK) |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |