IPD060N03LG Infineon

Symbol Micros: TIPD060n03l
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252/3 (DPAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9mOhm; 50A; 56W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD060N03LGBTMA1; IPD060N03LGATMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 50A
Maksymalna tracona moc: 56W
Obudowa: TO252/3 (DPAK)
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IPD060N03LGATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK)  
Magazyn zewnetrzny:
21136 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9122
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 50A
Maksymalna tracona moc: 56W
Obudowa: TO252/3 (DPAK)
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD