IPD068P03L3G Infineon
Symbol Micros:
TIPD068p03l3g
Obudowa: TO252
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 70A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD068P03L3GATMA1; IPD068P03L3GBTMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 11mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 70A |
| Maksymalna tracona moc: | 100W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPD068P03L3GATMA1
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3889 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPD068P03L3GATMA1
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnętrzny:
7500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4165 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 11mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 70A |
| Maksymalna tracona moc: | 100W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |