IPD068P03L3G Infineon

Symbol Micros: TIPD068p03l3g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 70A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD068P03L3GATMA1; IPD068P03L3GBTMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 11mOhm
Maksymalny prąd drenu: 70A
Maksymalna tracona moc: 100W
Obudowa: TO252
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 11mOhm
Maksymalny prąd drenu: 70A
Maksymalna tracona moc: 100W
Obudowa: TO252
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD