IPD075N03LG Infineon

Symbol Micros: TIPD075n03lg
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252/3 (DPAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11,4mOhm; 50A; 47W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD075N03LGBTMA1; IPD075N03L; IPD075N03LGATMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 11,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 50A
Maksymalna tracona moc: 47W
Obudowa: TO252/3 (DPAK)
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IPD075N03LGATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK)  
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8749
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 11,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 50A
Maksymalna tracona moc: 47W
Obudowa: TO252/3 (DPAK)
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD