IPD079N06L3GBTMA1

Symbol Micros: TIPD079n06l3g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,9mOhm; 50A; 79W; -55°C~175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 7,9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 50A
Maksymalna tracona moc: 79W
Obudowa: DPAK
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 7,9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 50A
Maksymalna tracona moc: 79W
Obudowa: DPAK
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD