IPD079N06L3GBTMA1
Symbol Micros:
TIPD079n06l3g
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,9mOhm; 50A; 79W; -55°C~175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 7,9mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 50A |
Maksymalna tracona moc: | 79W |
Obudowa: | DPAK |
Producent: | INFINEON |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 7,9mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 50A |
Maksymalna tracona moc: | 79W |
Obudowa: | DPAK |
Producent: | INFINEON |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |