IPD30N06S215ATMA2
Symbol Micros:
TIPD30n06s215
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 14,7mOhm; 30A; 136W; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 14,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 136W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPD30N06S215ATMA2
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5904 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 14,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 136W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |