IPD50P04P4L11ATMA2

Symbol Micros: TIPD50p04p4l11
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DPAK
Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 10V; 10,6mOhm; 50A; 58W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IPD50P04P4L-11; IPD50P04P4L11ATMA1; IPD50P04P4L11ATMA2; IPD50P04P4L11;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 10,6mOhm
Maksymalny prąd drenu: 50A
Maksymalna tracona moc: 58W
Obudowa: DPAK
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IPD50P04P4L-11 RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,5100 3,8600 3,2800 3,0000 2,9000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: Infineon Symbol producenta: IPD50P04P4L11ATMA2 Obudowa dokładna: DPAK  
Magazyn zewnetrzny:
102500 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 10,6mOhm
Maksymalny prąd drenu: 50A
Maksymalna tracona moc: 58W
Obudowa: DPAK
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 10V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta