IPD50R1K4CEAUMA1
Symbol Micros:
TIPD50r1k4ce
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,4Ohm; 4,8A; 42W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IPD50R1K4CEBTMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 42W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IPD50R1K4CEAUMA1
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6941 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 3,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 42W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |