IPD60R1K0PFD7S

Symbol Micros: TIPD60r1k0pfd7s
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 1,978Ohm; 4,7A; 26W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPD60R1K0PFD7SAUMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,978Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4,7A
Maksymalna tracona moc: 26W
Obudowa: DPAK
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 1,978Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4,7A
Maksymalna tracona moc: 26W
Obudowa: DPAK
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C
Montaż: SMD