IPD60R360P7ATMA1

Symbol Micros: TIPD60r360p7
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 360mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9A
Maksymalna tracona moc: 41W
Obudowa: DPAK
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: Infineon Symbol producenta: IPD60R360P7ATMA1 Obudowa dokładna: DPAK  
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt.
ilość szt. 2500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 2,2070
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 360mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9A
Maksymalna tracona moc: 41W
Obudowa: DPAK
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD